众所周知，目前制造7nm以下芯片时，必须用到EUV光刻机。
而EUV光刻机，只有ASML一家能够生产，可以说ASML卡住了全球所有芯片制造厂商的脖子。
那为何其它光刻机厂商，就不制造EUV光刻机呢？这不仅仅是技术问题，更是商业问题，因为ASML已经牵手了整个EUV光刻机产业链，将大家绑定在自己的战车上了，其它厂商想生产也没办法。
所以，其它厂商像佳能、尼康等，都不再研究EUV光刻机，因为研究也研究不出来，大家换转赛道，想换道超车。
有的厂商研发NIL纳米压印技术，有的研究BLE电子束光刻机技术，也有的研究X射线技术，还有研究DSA自生长技术，均是想办法绕开EUV光刻机。
其中NIL纳米压印技术，最被大家看好，觉得这可能是突破EUV光刻机限制的最佳途径之一，众多厂商在研究，并已经有了实际应用。
按照机构的数据，2022年全球纳米压印技术市场规模达到22.9亿美元。而佳能在NIL纳米压印技术上，表现最好，目前NIL已经将这项技术应用于铠侠的存储芯片制造中之中，不过工艺还较为落后。
不过佳能表示，到2025年，Canon将研发出生产5纳米芯片的设备，可以做到取代EUV光刻机。
而国内在NIL纳米压印技术上，也表现不错，比如华为哈勃投资的天仁微纳，就有纳米压印设备，已经实现了最大150／300mm基底面积上高精度（优于10nm ）复制量产。
可以说，目前NIL纳米压印技术，已经到了突破的关键节点，如果一切顺利，真的会如佳能所言，2025年就能够进入5nm时代。
而一旦进入5nm时代，估计ASML的王者地位就再也保不住了，更关键的是相比于EUV光刻机技术，NIL纳米压印技术门槛相对更低，中国厂商也完全有可能实现，那么中国芯片产业就不怕美国在光刻机上卡脖子了。
所以让我们期待一下，2025年NIL纳米压印技术，究竟能不能实现5nm，一旦实现，全球的半导体格局，都会面临大洗牌。
